日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)

日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)

高34mm對(duì)環(huán)境無(wú)污染采用無(wú)鎘觸點(diǎn)無(wú)鉛焊錫未使用污染環(huán)境物質(zhì)
觸點(diǎn)zui大通電電流?短時(shí)間通電1,000A(0.1s)
(電負(fù)載) 2.zui大DC 100V 800A通斷型輕量
通過使用2點(diǎn)切斷觸點(diǎn)技術(shù)和*磁鐵
實(shí)現(xiàn)了小型高容量1.DC 100V 100A下通斷1萬(wàn)次以上
觸點(diǎn)與線圈間 AC2,500V1分鐘(檢測(cè)電流：10mA)
動(dòng)作時(shí)間 30ms以下(施加額定工作電壓時(shí)
不含觸點(diǎn)彈跳、at20 ℃)復(fù)位時(shí)間
日本SUNX神視反射型光電傳感器基本指導(dǎo)

15ms以下(施加額定工作電壓時(shí)、at20 ℃)
端子間壓降初始)0.15V以下(100A通電時(shí))
zui大通斷電流800A DC100V/3次 ※3過負(fù)載通
斷300A DC150V/10次 電氣緣電阻
(初始) 100MΩ以上(使用DC500V緣電阻計(jì))
耐電壓(初始) 觸點(diǎn)間 AC1,500V1分鐘(檢測(cè)電流：10mA)
觸點(diǎn)材料Ag合金額定控制容量(電阻負(fù)載) 100A　100V DC
zui小適用負(fù)載(參考值) ※1 1A12VDC
該值為檢測(cè)距離上的值以光強(qiáng)度的1/e2(約13
.5%)定義這些值如果定義區(qū)域外有
光泄漏并且檢測(cè)點(diǎn)周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)檢測(cè)結(jié)果可能會(huì)受到影響